邱成冯工优势供应IPR传感器

德国进口IPR传感器7000625

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工作机理

一）磁电效应

根据法拉第电磁感应定律，N匝线圈在磁场中运动，切割磁力线（或线圈所在磁场的磁通变化）时，线圈中所产生的感应电动势的大小取决于穿过线圈的磁通的变化率，

直线移动式磁电传感器

直线移动式磁电传感器由磁铁、线圈和传感器壳体等组成

当壳体随被测振动体一起振动且在振动频率远大于传感器的固有频率时，由于弹簧较软，运动件质量相对较大，运动件来不及随振动体一起振动（静止不动）。此时，磁铁与线圈之间的相对运动速度接近振动体的振动速度。

转动式

软铁、线圈和磁铁固定不动。由导磁材料制成的测量齿轮安装在被测旋转体上，每转过一个齿，测量齿轮与软铁之间构成的磁路磁阻变化一次，磁通也变化一次。线圈中感应电动势的变化频率（脉冲数）等于测量齿轮上的齿数和转速的乘积。

二）霍尔式传感器

⒈霍尔效应

半导体或金属薄片置于磁场中，当有电流（与磁场垂直的薄片平面方向）流过时，在垂直于磁场和电流的方向上产生电动势，这种现象称为霍尔效应。

⒉霍尔元件

常用的霍尔材料锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）等。N型锗容易加工制造，霍尔系数、温度性能、线性度较好；P型硅的线性度，霍尔系数、温度性能同N型锗，但电子迁移率较低，带负载能力较差，通常不作单个霍尔元件。

三）压电式传感器

⒈压电效应

对某些电介质沿着一定方向加力而使其变形时，在一定表面上产生电荷，当外力撤除后，又恢复到不带电状态，这种现象称为正压电效应。在电介质的极化方向施加电场，电介质会在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外电场去除后，变形或应力随之消失，此现象称为逆压电效应。

⒉压电元件

压电式传感器是物性型的、发电式传感器。常用的压电材料有石英晶体（SiO2）和人工合成的压电陶瓷。

压电陶瓷的压电常数是石英晶体的几倍，灵敏度较高。